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【第二套】华为 2024 年校招-硬件电源岗
14.⼯作在放⼤区的晶体管,当 IB 从 10μA 增⼤到 20μA,IC 从 1mA 增⼤到 2mA,它的 β 为。C. 三极管属于单极型电压控制开关器件,MOS 属于双极型电流控制开关器件。D. 三极管和 MOS 都有三个电极,分别为基极、集电极、发射极。25.实验时,TTL 芯⽚发烫,不可能的原因是()B. 三极管属于电压控制,MOS 属于电流控制。2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是
·
1.为了避免 50Hz 的电⽹电压⼲扰放⼤器,应该⽤那种滤波器:
A.带阻滤波器
B.带通滤波器
C.低通滤波器
D.⾼通滤波器
2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是?
A、消除静态误差和提⾼动态性能
B、消除静态误差和减⼩调节时间
C、提⾼动态性能和减⼩超调量
D、减⼩调节时间和减⼩超调量
- 关于信号采样,正确的是
A、采样频率只要⼤于被测频率即可
B、采样频率过低会发⽣混叠现象
C、采样频率越⾼越好
D、采样频率要设为被测信号频率的整数倍
- 在⾼频开关变换器中,半导体开关器件的主要损耗是()。
A . 通态损耗
B . 开通损耗
C . 断态损耗
D. 开关损耗
- 关于 PCB 布局,说法错误的是
A、把受热影响⼤的元器件放置在离进⻛⼝近的区域
B、数字电路器件与模拟电路器件分开放置
C、钽电容应该放在铝电解电容的前⾯,因为钽电解电容的抗浪涌的能⼒较强
D、晶体、晶振、⾼速芯⽚、开关电源等强辐射器件或敏感器件距单板拉⼿条、连接器的边
缘尽量远
- 在电⼦迁移率公式 u=qt/m 中,t 指的是扩散时间。
A、正确 B、错误
- 下列对 CMOS 电路描述正确的是()
A.CMOS 电路是互补型⾦属氧化物半导体电路
B.CMOS 电路由半绝缘场效应晶体管组成
C.CMOS 是⼀种单级型晶体管集成电路
D.CMOS 基本结构是⼀个 N 沟道 MOS 管和⼀个 P 沟道 MOS 管
- 为了稳定放⼤电路的输出电压,应引⼊:
A. 交流负反馈
B. 直流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
- 温度升⾼时,三极管的 β 值将增⼤。
A、正确 B、错误
- 选择示波器时,示波器的带宽应为被测信号最⾼频率分量的()倍。
A.1
B.2
C.3
D.4
11.基尔霍夫定律是分析⼀切 () 电路的基本依据。
A、 电流参数
B、 集总参数
C、 电阻参数
D、 电压参数
12.下列关于三极管和 MOS 正确的是
A. 三极管属于电流控制,MOS 属于电压控制
B. 三极管属于电压控制,MOS 属于电流控制
C. 三极管属于单极型电压控制开关器件,MOS 属于双极型电流控制开关器件
D. 三极管和 MOS 都有三个电极,分别为基极、集电极、发射极
- 关于电感的下列说法,错误的是______。
A. 电感在直流稳态电路中相当于短路
B. 电感处于交流电路中,总是吸收功率
C. 电感中的电流不能跃变
D. 电感是储能元件
14.⼯作在放⼤区的晶体管,当 IB 从 10μA 增⼤到 20μA,IC 从 1mA 增⼤到 2mA,它的 β 为
A.100
B.50
C.10
D.2
解析: β = ΔIC / ΔIB
- 系统开环对数频率特性的低频段特性决定了系统的____ ,中频段特性决定了系统的____ ,
⾼频段特性决定了系统的___ 。
A.稳态误差,稳定性,抗⼲扰性能
B.稳定性,稳态误差,抗⼲扰性能
C.抗⼲扰性能,稳定性,稳态误差
- PWM 主要应⽤于( )电路中。
A.整流
B.逆变
C.斩波
D.调压
- 为了保证系统稳定,则闭环极点都必须在( )
A. s 左半平⾯
B. s 右半平⾯
C. s 上半平⾯
D. s 下半平⾯
- 太阳能电池单体是⽤于光电转换的最⼩单元,其⼯作电压约为( )mV,⼯作电流为20~25mA/cm2。
A.400~500
B.100~200
C.200~300
D.800~900
- 太阳能电池的能量转换效率是从太阳能电池的端⼦()的电⼒能⼒与()的太阳能辐射
光能量的⽐。
A.输⼊,输出
B.输出,输⼊
- 在磁性元件中,⼀般()代表磁⼼的横截⾯积
A. Ac
B. Ad
C. Ae
D. Asec
- 当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将( )。
A. 增⼤
B. 不变
C. 减⼩
D. 不确定
- 集成运放的输⼊级采⽤差分放⼤电路是因为可以( )。
A. 减⼩温漂
B. 增⼤放⼤倍数
C. 提⾼输⼊电阻
D. 减⼩放⼤倍数
- 有关瞬态电压抑制器(TVS)的作⽤,以下哪⼀项是错误的()
A.它是⼀种⼆极管形式的⾼效能的保护器件,防⽌瞬态⾼能量时冲击时,保护精密器件免受
各种浪涌脉冲的损坏。
B.加在信号和电源线上,能防⽌微处理器,⼈体静电、交流浪涌或噪声,导致处理器的失灵。
C.能释放超过 10000V,60A 以上的连续信号,这可以防⽌总线之间开关引起的⼲扰。
D.将 TVS 放置在信号线和地之间,能避免数据及控制总线受到不必要噪声的影响。E.电路中
接⼊ TVS 后,如果外界信号输⼊较⼤脉冲,TVS 即可将该信号瞬间导地,保护后级器件。
- 在系统对输入信号的时域响应中,其调整时间的长短是与()指标密切相关。
A.允许的峰值时间
B.允许的超调量
C.允许的上升时间
D.允许的稳态误差
25.实验时,TTL 芯⽚发烫,不可能的原因是()
A、 电源使⽤ 12V
B、 插反芯⽚
C、 电源与地短路
D、 电源使⽤ 4V
- 开关电源模块的寿命是由模块内部⼯作( )所决定,其⾼低主要是由模块的效率⾼低所决
定。
A.效率
B.电压
C.温升
D.性能
- 在半导体材料中,正确的说法是( )。
A.P 型半导体和 N 型半导体材料本⾝都不带电
B.P 型半导体中,由于多数载流⼦为空⽳,所以它带正电
C.N 型半导体中,由于多数载流⼦为⾃由电⼦,所以它带负电
D.N 型半导体中,由于多数载流⼦为空⽳,所以它带负电
- 差分放⼤电路的主要特点是()
A.有效放⼤差模信号,抑制共模信号
B.既放⼤差模信号,⼜放⼤共模信号
C.有效放⼤共模信号,抑制差模信号
D.既抑制差模信号,⼜抑制共模信号
- 放⼤电路在⾼频信号作⽤下放⼤倍数下降的原因是___。
A 耦合电容和旁路电容的影响
B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的⾮线性特性
D 放⼤电路的静态⼯作点设置不合适
- 绝缘栅双极性晶体管是指 A
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、SCR
- 半桥逆变电路的特点描述正确的是__。
A.应⽤于⼤功率逆变
B.电路简单
C.使⽤器件少
D.输出交流电压幅值为 Ud/2
E.且直流侧需两电容器串联
- 双 PWM 电路中,整流电路和逆变电路都采⽤ PWM 控制,可以使( )
A. 电路的输⼊输出电流均为正弦波
B. 输⼊功率因数⾼
C. 中间直流电路的电压可调
D. 输⼊功率因数低
- 在 CMOS 集成电路制造中,⼆氧化硅的主要作⽤有哪些?
A、作为芯⽚的保护膜
B、作为电隔离膜
C、作为元器件的组成部分
D、作为掩膜
- 影购 BUCK 电源输出质量的因素有哪些?
A、电感感值
B、电感封装
C、输⼊电容
D、⼯作模式
- 静态功耗⼜叫做泄漏功耗,它是指电路处在等待或不激活状态时泄漏电流所产⽣的功耗,
泄漏电流主要包括
A、⻔栅泄漏电流
B、反偏⼆极管泄漏电流
C、⻔栅感应漏极泄漏电流
D、亚值泄漏电流
- BOOST 电路⼯作在连续模式,仅 BOOST 电路的输⼊电压升⾼时,下⾯描述不正确的是
A、 输⼊滤波电感的纹波变⼤
B、 输出电容纹波电流变⼩
C、 占空⽐变⼩
D、 开关管的电压应⼒不变
- 哪些是运放理想模型参数特性
A、开环差模电压增益⽆穷⼤
B、输出电阻⽆穷⼤
C、共模抑制⽐⽆穷⼤
D、差模输⼊电阻⽆穷⼤
- 关于磁珠的使⽤,说法正确的是:
A. 磁珠的插⼊损耗与线路阻抗有关,阻抗越⾼,插损越⼩
B.额定电流降额 80%使⽤
C.额定电压降额 80%使⽤
D. ⼯作最⾼温度不要超过额定温度
- 电源 PDN 设计中,将 1 个 10uF 替换为 10 个 1uF,由于并联减⼩ ESR 的作⽤,⼀定有
利于纹波的抑制。
A.正确
B.错误
- 下列有关电感 Q 值说法正确的是:
A、电感器的 Q 值是指在某⼀频率的交流电压下⼯作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之
⽐
B、电感器的 Q 值越⾼,其损耗越⼩,效率越⾼
C、电感器品质因数的⾼低与线圈导线的直流电阻、线圈⻣架的介质损耗及铁⼼,屏蔽罩等
引起的损耗等有关。
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